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ZTX653 vs. ZTX753

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1 Introdução
2 O que é ZTX653?
3 O que é ZTX753?
4 Classificações máximas absolutas de ZTX653 e ZTX753
5 Características elétricas de ZTX653 e ZTX753
6 Conclusão

Introdução

Em essência, tanto o ZTX653 quanto o ZTX753 se enquadram na categoria de transistores. No entanto, o ZTX653 é considerado como tendo uma polaridade de Negativo-Positivo-Negativo (NPN), enquanto o ZTX753 é conhecido por ter uma polaridade de Positivo-Negativo-Positivo (PNP).

Embora sejam diferentes em alguns aspectos, ambos são transistores planares de silício de média potência. Além disso, a ZTX653 e a ZTX753 são Transistor de junção bipolar (BJT), o que significa que é composto por três (3) terminais que possuem a capacidade de amplificar sinais.

Semelhante à importância dos transistores típicos, essas duas classes de BJT, ZTX653 e ZTX753, são cruciais na regulação da corrente que flui em um circuito. Dessa forma, a potência e a corrente que circulam por todo o sistema ficam limitadas ao valor do dispositivo, reduzindo o risco de erros e danos ao próprio dispositivo e mantendo seu melhor desempenho.

Como resultado, compartilharemos os aspectos essenciais relacionados ao ZTX653 e ZTX753, incluindo sua definição, classificações máximas absolutas, características elétricas e características dinâmicas, para compreender completamente seu conceito. Por isso, sugerimos a leitura até o final!

Explicação detalhada dos transistores de junção bipolar (BJT)

O que é ZTX653?

Conforme declarado, o ZTX653 é uma categoria de um transistor, especificamente sob a junção bipolar com uma configuração de polaridade de Negativo-Positivo-Negativo (NPN). Além disso, seu tipo de montagem é Através de um buraco com um pacote E-Line compatível com TO-92.

Considerou-se que o ZTX653 possui uma potência operacional de 100 Volts para sua tensão coletor-emissor. Além disso, possui uma corrente de 2 A que flui continuamente. Além disso, é conhecido por possuir baixa tensão de saturação; isso significa que a relação entre o coletor e o emissor é estável. Por fim, seu valor de dissipação de energia é de 1 W.

No geral, as características do ZTX653 não diferem muito do ZTX753; no entanto, através de suas capacidades, pode-se distinguir qual é o transistor altamente adequado para suas aplicações. Se alguém ainda não conseguir decidir entre esses dois, encorajamos nossos leitores a enviar suas perguntas para nós; teremos o maior prazer em ajudar.

O que é ZTX653?

Entendendo o conceito de ZTX653

O que é ZTX753?

Como mencionado, o ZTX753 é uma classe de transistores semelhante ao ZTX573. Além disso, sua classificação é semelhante; eles caem com o transistor de junção bipolar (BJT). No entanto, sua polaridade difere da ZTX653; em vez de NPN, é PNP (Positivo-Negativo-Positivo).

Em termos de embalagem e montagem, são semelhantes; E-Line é adequado para TO-92 e Through Hole, respectivamente. Além disso, eles são considerados compatíveis com RoHS e REACH; assim, eles são ecologicamente corretos. Além disso, seu nível de sensibilidade à umidade é 1. Além disso, sua tensão básica é de -120 V, com um valor de -2 A para sua corrente contínua.

Ao todo, o ZTX753 tem muito mais semelhanças do que diferenças com o ZTX653; no entanto, eles têm suas próprias características notáveis ​​que podem ser cruciais para algumas aplicações. Portanto, sugerimos considerar cuidadosamente os requisitos de aplicação e dispositivo antes de selecionar um transistor entre o ZTX653 e o ZTX753.

O que é ZTX753?

Entendendo o conceito de ZTX753

Classificações máximas absolutas de ZTX653 e ZTX753

Para entender completamente a diferença de capacidade entre o ZTX653 e o ZTX753, abordaremos as classificações máximas em cada transistor. Dessa forma, podemos evitar o uso excessivo do componente, obtendo assim um desempenho impecável quando integrado. Todos os valores que serão mencionados abaixo são baseados em TA = 25ºC.

Símbolo

 Parâmetro ZTX653 ZTX753
VCBO Coletor - Tensão Base 120 V

- 120 V

VCEO

 Coletor - Tensão do Emissor 100 V - 100 V
VEBO Emissor - Tensão Base 5 V

- 5 V

IC

 Corrente Contínua do Coletor 2 A - 2A
IB Corrente base 2 A

- 2A

PD

 Dissipação de potência total em TA = 25 ° C

Redução acima de 25°C

 1.0 W

8 mW/°C

TJ

 Faixa de temperatura da junção -55 a 150 ° C
TSTG Amplitude Térmica de armazenamento

-55 a 150 ° C

Características elétricas de ZTX653 e ZTX753

A fim de entender completamente os recursos do ZTX653 e do ZTX753 um do outro, gostaríamos de abordar as características elétricas de cada um deles. Dessa forma, pode-se distinguir facilmente se o outro transistor é muito mais adequado para suas aplicações do que o outro. Uma coisa a observar, todos esses valores mencionados são baseados em TA = 25ºC.

Símbolo

 parâmetros Condições de teste Min. Tipo Max.

Unidades

V(BR)CBO(1)

 Tensão de ruptura da base do coletor IC = 100 µA ZTX653

120

  

V
IC = – 100 µA ZTX753

-120

V(BR) CEO(1)

 Tensão de ruptura coletor-emissor IC = 10mA ZTX653 100  

 

 

 

μA

IC = – 10 mA

 ZTX753

-100
V(BR)EBO(1)

Tensão de ruptura da base do emissor

 IE = 100 µA ZTX653

5
IE = – 100 µA

ZTX753

-5

ICBO (1)

 Corrente de corte da base do coletor VCB = 100 V ZTX653 0.1
VCB = – 100 V

ZTX753

- 0.1

IEBO (1)

 Corrente de corte da base do emissor VEB = 4 V ZTX653 0.1

VEB = – 4 V

ZTX753

- 0.1

VCE (sat) (1)

 Tensão de Saturação Coletor-Emissor IC = 500mA

IB = 50mA

 ZTX653 0.2 0.3  

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

IC = – 500 mA

IB = – 50 mA

ZTX753

 - 0.2

- 0.3

IC = 1.0 A

IB = 100mA

 ZTX653 0.35 0.5

IC = - 1.0 A

IB = – 100 mA

ZTX753

 - 0.35

- 0.5

IC = 2 A

IB = 200mA

 ZTX653 0.8 1.0

IC = - 2 A

IB = – 200 mA

ZTX753

 - 0.8

- 1.0

VSER(sáb) (1)

 Tensão de Saturação Base-Emissor IC = 1.0 A

IB = 100mA

 ZTX653 1.0 1.3

IC = 1.0 A

IB = 100mA

ZTX753

 - 1.0

- 1.3

VSER(ligado) (1)

 Tensão de ativação do emissor base IC = 1.0 A

VCE = 2 V

 ZTX653 0.95 1.2

IC = 1.0 A

VCE = 2 V

ZTX753

 - 0.95

- 1.2
 

 

HFE (1)

  

 

 

Ganho de Corrente DC

 IC = 50mA

VCE = 2 V

 ZTX653  

70

  

200

IC = – 50 mA

VCE = – 2 V

ZTX753

IC = 500mA

VCE = 2 V

 ZTX653  

100

  

200

  

300

IC = – 500 mA

VCE = – 2 V

ZTX753

IC = 1.0 A

VCE = 2 V

 ZTX653  

55

  

110

IC = 1.0 A

VCE = – 2 V

ZTX753

IC = 2 A

VCE = 2 V

ZTX653

  

25

  

55

IC = - 2 A

VCE = – 2 V

ZTX753

Características dinâmicas de ZTX653 e ZTX753

Para completar a lista de verificação, gostaríamos de discutir as características dinâmicas da ZTX653 e ZTX753. Dessa forma, podemos reduzir ainda mais a escolha de alguém conhecendo os valores dinâmicos que possui. Todos esses valores são baseados na largura de pulso de ≤ 380 µs.

Símbolo

 parâmetros Condições de teste Min. Tipo Max.

Unidades

fT

 Frequência de Transição IC = 100mA

f = 100MHz

VCE = 5 V

ZTX653

140

 175

MHz

IC = – 100 mA

f = 100MHz

VCE = – 5 V

ZTX753

 100

140

COBO

 Capacitância de saída IE = 0

f = 1.0MHz

VCB = 10 V

ZTX653

 

30

pF

IE = 0

f = 1.0MHz

VCB = – 10 V

ZTX753
 

TON

  

Hora de ligar

 IC = 500mA ZTX653 80  

 

ns

VCC = 10 V

IC = – 500 mA

 ZTX753 40

VCC = – 10 V

TOFF

 Tempo de desligamento IB1= EuB2 = 50mA 1200

ns

IB1= EuB2 = – 50 mA

600

Conclusão

Para finalizar, o ZTX653 e o ZTX753 são subcategorias de transistores, especificamente transistores de junção bipolar (BJT); no entanto, eles têm polaridade diferente, um tendo uma classe NPN e o outro tendo uma classe PNP.

Se você está confuso sobre a diferença entre essas duas polaridades, escrevemos um artigo detalhado explicando essas duas; Transistores PCB. No entanto, se ainda não responder às suas preocupações e dúvidas, sugerimos entrar em contato diretamente com PCBTok. Teremos o maior prazer em fornecer nossa opinião profissional sobre qual transistor é altamente apropriado para sua finalidade e aplicações desejadas.

Assim, se você estiver interessado em saber mais sobre a ZTX653 e a ZTX753, envie-nos uma mensagem ou ligue! Estamos sempre disponíveis para proporcionar aos nossos clientes cem por cento de satisfação com os nossos serviços e produtos. Contacte-nos imediatamente!

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